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元器件采购网 > 2-697页 > FET - 单2N7002K-T1-GE3

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2N7002K-T1-GE3

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 Vishay Siliconix 电话:0755-83217923
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2N7002K-T1-GE3参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):300mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):30pF @ 25V
功率 - 最大值:350mW
安装类型:表面贴装

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